PCIe M.2 SSDs

MTE670T & MTE670T-I

Твердотельные накопители Transcend MTE670T созданы на базе передовой технологии 3D NAND, позволяющей формировать до 112 слоев флеш-памяти. По сравнению с накопителями, построенными на базе 3D NAND, которые могут иметь только до 96 слоев, новые устройства отличаются более высокой плотностью записи. Накопители MTE670T оснащены интерфейсом PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 и поддерживают стандарт NVM Express (NVMe) 1.3, что позволяет им демонстрировать непревзойденный уровень производительности. Твердотельные накопители MTE670T изготовлены с использованием технологии угловой заливки и имеют контакты, покрытые золотым напылением толщиной 30 мкм. Накопители проходят тщательное заводское тестирование и выдерживают до трех тысяч циклов записи/стирания, что гарантирует выдающуюся надежность хранения критически важной информации при расширенной рабочей температуре от -20°C до 75°C.


Transcend также поставляет накопители MTE670T-I с широким диапазоном рабочих температур (от -40℃ до 85℃), что обеспечивает оптимальный уровень их надежности, а также стабильность работы и долговечность при использовании в критически важных системах.


Технологии

112-слойная 3D NAND флеш-память

Позолоченные разъёмы толщиной 30 мкм

Угловая заливка

Расширенный диапазон рабочих температур

Широкий диапазон рабочих температур

Механизм динамического терморегулирования

Термодатчик

Защита от нарушений во время чтения

Противосерная Технология

Сборка Мусора

Выравнивание износа

TRIM

Управление поврежденными блоками

Power Shield (PS)

Технология раннего перемещения данных (Early Move)

Характеристики Прошивки

  • Поддержка NVM команд
  • Технология SLC-кэширования
  • Динамический термальный троттлинг
  • Встроенная функция исправления ошибок (LDPC ECC)
  • Продвинутый алгоритм глобального выравнивания износа и управления блоками для большей надежности
  • Продвинутый алгоритм сборки мусора
  • Поддерживает функцию S.M.A.R.T. для мониторинга, анализа и отчетности о состоянии устройств хранения данных.
  • Команды TRIM для лучшей производительности

Характеристики Оборудования

  • Соответствие стандарту RoHS 2.0
  • Совместимость с NVM Express 1.3
  • Совместимость с PCI Express 3.1
  • Компактный форм-фактор M.2 (80 мм) - идеально подходит для мобильных устройств
  • Интерфейс PCIe Gen 3x4
  • Гарантированная надежность: память 3000 циклов программирования/стирания
  • Основные компоненты изделия усилены угловой заливкой
  • Золотое напыление толщиной 30 мкм
  • Anti-sulfur technology implemented to prevent sulfurization in the environment
  • Power Shield гарантирует целостность передачи данных и сведёт повреждение данных на диске к минимуму при аварийном отключении электроэнергии.
  • Расширенный диапазон рабочих температур (-20°C ~ 75°C) и широкий диапазон рабочих температур (-40°C ~ 85°C) доступны
  • Поддержка функции Transcend Scope Pro

Характеристики

Внешний вид
Размеры80 mm x 22 mm x 2.23 mm (3.15" x 0.87" x 0.08")
Вес9 g (0.32 oz)
M.2
  • 2280-S2-M (Односторонний)
Форм-фактор
  • M.2 2280

Интерфейс
Интерфейс шины
  • NVMe PCIe Gen3 x4

Хранилище
Емкость
  • 128 ГБ
  • 256 ГБ
  • 512 ГБ
  • 1 ТБ
Тип Flash памяти
  • 112-слойная Память типа 3D NAND

Рабочая обстановка
Рабочее напряжение
  • 3.3В±5%
Температура эксплуатации
  • Стандартный диапазон
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • расширенный диапазон рабочих
    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
  • Широкий диапазон
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
Температура хранения-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
Влажность5% ~ 95%
Удар
  • 1500 G, 0.5 ms, 3 оси
Вибрация (рабочая)20 G (двойная амплитуда), 7 Hz ~ 2,000 Hz (частота)

Питание
Потребляемая мощность (рабочая)3.1 ватт
Потребляемая мощность (IDLE)0.4 ватт

Производительность
Последовательное чтение/запись (CrystalDiskMark)Чтение: До 2,100 MБ/с
Запись: До 1,600 MБ/с
4K Произвольное чтение/запись (IOmeter)Чтение: До 150,000 IOPS
Запись: До 280,000 IOPS
Среднее время наработки на отказ (MTBF)3,000,000 час (ов)
Запись в терабайтах (TBW)До 960 TBW
Ресурс перезаписи в день (DWPD)0.88 (3 лет)
Примечание
  • Производительность может варьироваться из-за аппаратной части компьютера, установленных программ, использования и емкости накопителя.
  • Рабочая нагрузка, используемая для оценки DWPD, может отличаться от фактической рабочей нагрузки, которая может варьироваться в зависимости от аппаратного обеспечения, ПО, использования и емкости накопителя.
  • Ресурс TBW (Terabytes Written) – ключевая характеристика для оценки надёжности накопителя, показывающая общий объем данных, который можно на него записать.

Гарантия
Сертификат
  • CE
  • UKCA
  • FCC
  • BSMI
Гарантия
  • Трехлетняя Ограниченная Гарантия
Условия гарантии
  • Здесь можно найти дополнительную информацию об условиях гарантии Transcend.
  • Гарантия не распространяется на SSD, у которых индикатор износа в программе Scope Pro показывает 0%.
  • Из-за сложности и разнообразия промышленных приложений Transcend не может гарантировать 100% совместимость со всеми платформами и всеми сценариями использования. Для особых условий использования настоятельно рекомендуется связаться с Transcend заранее для уточнения.
  • Программа Scope Pro доступна по запросу. Пожалуйста, обратитесь к нам за дополнительной информацией.

Информация о заказе

128GB
  • TS128GMTE670T
  • TS128GMTE670T-I
256GB
  • TS256GMTE670T
  • TS256GMTE670T-I
512GB
  • TS512GMTE670T
  • TS512GMTE670T-I
1TB
  • TS1TMTE670T
  • TS1TMTE670T-I